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  • 型号: BSL207SP L6327
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSL207SP L6327由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSL207SP L6327价格参考。InfineonBSL207SP L6327封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BSL207SP L6327参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSL207SP L6327 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 20V 6A 6-TSOPMOSFET OptiMOS-P Sm-Signal Transistor

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

6 A

Id-连续漏极电流

6 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSL207SP L6327OptiMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/BSL207SP_Rev2.01.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42af4ec442f

产品型号

BSL207SP L6327

PCN过时产品

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Pd-PowerDissipation

2 W

Pd-功率耗散

2 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

41 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

41 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 20 V

Vds-漏源极击穿电压

- 20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

上升时间

17 ns

下降时间

53 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.2V @ 40µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1007pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

20nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

41 毫欧 @ 6A,4.5V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-TSOP6-6

其它名称

BSL207SPXTINDKR

典型关闭延迟时间

42 ns

功率-最大值

2W

包装

Digi-Reel®

商标

Infineon Technologies

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-74,SOT-457

封装/箱体

TSOP-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

6A (Ta)

系列

BSL207

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain

零件号别名

BSL207SPL6327HTSA1 SP000095796

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